[发明专利]叠层体及半导体装置在审
| 申请号： | 201980017323.2 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111819670A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;高桥正弘;平松智记 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;李志强 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种电特性及可靠性良好的叠层体。本发明的一个方式是一种叠层体，包括：绝缘体；导电体；以及绝缘体与导电体之间的第一氧化物，其中，第一氧化物包括c轴取向的第一结晶区域，并且，第一结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第一氧化物的面大致垂直。本发明的一个方式是一种叠层体，包括：绝缘体；导电体；绝缘体与导电体之间的第一氧化物；以及隔着绝缘体与第一氧化物对置的第二氧化物，其中，第一氧化物包括c轴取向的第一结晶区域，第一结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第一氧化物的面大致垂直，第二氧化物包括c轴取向的第二结晶区域，并且，第二结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第二氧化物的面大致垂直。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层体 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980017323.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：相机模块
- 下一篇：在RRC非活动状态下暂停/恢复测量
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
