[发明专利]叠层体及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一氧化物；

第二氧化物；

第三氧化物；

第一绝缘体；

第二绝缘体；

第一导电体；

第二导电体；以及

第三导电体，

其中，所述第一氧化物与所述第一导电体的底面接触，

所述第一绝缘体与所述第一氧化物的底面接触，

所述第二氧化物与所述第一绝缘体的底面接触，

所述第三氧化物与所述第二氧化物的底面接触，

所述第一氧化物包括c轴取向的第一结晶区域，

所述第一结晶区域的c轴与所述第一绝缘体一侧的所述第一氧化物的面大致垂直，

所述第二氧化物包括c轴取向的第二结晶区域，

所述第二结晶区域的c轴与所述第一绝缘体一侧的所述第二氧化物的面大致垂直，

所述第二绝缘体位于所述第三氧化物的上方，

所述第二绝缘体与所述第二氧化物的端部接触，

并且，所述第二导电体及所述第三导电体在所述第三氧化物上隔着所述第二氧化物对置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

具有开口的第三绝缘体，

其中所述第三绝缘体与所述第二氧化物的底面的一部分、所述第二导电体的顶面的一部分及侧面、所述第三导电体的顶面的一部分及侧面以及所述第三氧化物的侧面接触，

并且所述第二氧化物与所述第三氧化物通过所述开口接触。

3.一种半导体装置，包括：

第一氧化物；

第二氧化物；

第三氧化物；

第一绝缘体；

第二绝缘体；以及

第一导电体，

其中，所述第一氧化物与所述第一导电体的底面接触，

所述第一绝缘体与所述第一氧化物的底面接触，

所述第二氧化物与所述第一绝缘体的底面接触，

所述第三氧化物与所述第二氧化物的底面接触，

所述第一氧化物包括c轴取向的第一结晶区域，

所述第一结晶区域的c轴与所述第一绝缘体一侧的所述第一氧化物的面大致垂直，

所述第二氧化物包括c轴取向的第二结晶区域，

所述第二结晶区域的c轴与所述第一绝缘体一侧的所述第二氧化物的面大致垂直，

所述第二绝缘体位于所述第三氧化物的上方，

所述第二绝缘体与所述第二氧化物的端部接触，

所述第三氧化物包括第一区域、夹着所述第一区域的第二区域及第三区域，

所述第一区域包括与所述第一导电体重叠的区域，

并且，所述第二区域及所述第三区域具有选自磷、硼、铝和镁中的一个以上。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：

具有开口的第三绝缘体，

其中所述第三绝缘体与所述第二氧化物的底面的一部分以及所述第三氧化物的顶面的一部分及侧面接触，

并且所述第二氧化物与所述第三氧化物通过所述开口接触。

5.一种半导体装置，包括：

第一氧化物；

第二氧化物；

第三氧化物；

第一绝缘体；以及

导电体，

其中，所述第一氧化物覆盖所述导电体的侧面及底面，

所述第一绝缘体覆盖所述第一氧化物的侧面及底面，

所述第二氧化物覆盖所述第一绝缘体的侧面及底面，

所述第三氧化物与所述第二氧化物的底面接触，

所述第一氧化物包括c轴取向的第一结晶区域，

并且，所述第一结晶区域的c轴与所述第一绝缘体一侧的所述第一氧化物的面大致垂直。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中所述第三氧化物包括第一区域、夹着所述第一区域的第二区域及第三区域，

所述第一区域包括与所述导电体重叠的区域，

并且所述第二区域及所述第三区域具有选自磷、硼、铝和镁中的一个以上。