[发明专利]半导体处理工具中的RF电流测量在审

专利信息
申请号: 201980015157.2 申请日: 2019-02-22
公开(公告)号: CN111758145A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 苏尼尔·卡普尔;托马斯·弗雷德里克 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/3065
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠;邱晓敏
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种在处理室中的多个站中进行等离子体辅助的半导体处理的方法。该方法包括:a)在所述多个站中的每个站处提供衬底;b)将RF功率分配给多个站,从而在所述站内产生等离子体,其中,根据被调节以减小站与站之间的变化的RF功率参数来分配所述RF功率;c)调谐所述RF功率的频率,其中,调谐所述频率包括:i)测量所述等离子体的电流,ii)根据(i)中所测得的所述电流确定所述RF功率的所述频率的变化,以及iii)调节所述RF功率的所述频率;以及d)在每个站处在所述衬底上执行半导体处理操作。
搜索关键词: 半导体 处理 工具 中的 rf 电流 测量
【主权项】:
暂无信息
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