[发明专利]自旋力矩转移（STT）-磁性随机存取存储器（MRAM）之氮化物盖层在审
| 申请号： | 201980007466.5 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN111615756A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 裘地·玛丽·艾维塔;真杰诺;童儒颖;维格纳许·桑达;朱健;刘焕龙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开一种磁性穿隧结(MTJ)，其中自由层(FL)与第一金属氧化物(垂直非等向性增强层)及第二金属氧化物(穿隧阻障)的第一及第二界面各别产生垂直磁非等向性(PMA)以增加热稳定性。在一些实施例中，盖层为导电金属氮化物(例如，MoN)相对于第一界面接触垂直非等向性增强层的相反表面，相较于TiN盖层，减少氧及氮的相互扩散并保持可接受的电阻面积(RA)乘积。在其他实施例中，盖层可以包括绝缘氮化物，例如AlN，其与导电金属合金以最小化RA。此外，可以在盖层与垂直非等向性增强层之间插入金属缓冲层。因此，减少电性短路并且增加磁阻比。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 力矩 转移 stt 磁性 随机存取存储器 mram 氮化物 盖层 | ||
【主权项】：
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