[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980005229.5 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111247628A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 儿玉奈绪子 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法是首先，在第一导电型的半导体基板(10)的一侧的主表面(10a)侧形成半导体元件的正面元件结构。接着，在半导体基板(10)的另一侧的主表面(10b)侧形成第一保护膜(17)。接着，从形成了第一保护膜(17)的另一侧的主表面(10b)侧向半导体基板(10)注入离子。接着，去除第一保护膜(17)。在形成第一保护膜(17)后，可以在半导体基板(10)的一侧的主表面(10a)侧形成第二保护膜(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
