[发明专利]集成电路装置及集成电路装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980001614.2 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111213238A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 位田友哉;北本克征 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11573 | 分类号： | H01L27/11573;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/11526;H01L27/11556;H01L27/11582;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式的集成电路装置具有衬底、第1晶体管、绝缘层、第1接点、第2接点、及第1单晶部。所述第1晶体管具有第1栅极电极、以及设置在所述衬底的第1源极区域及第1漏极区域。所述第1接点面向所述第1栅极电极。所述第2接点面向所述第1源极区域与所述第1漏极区域中的一区域即第1区域。所述第1单晶部设置在所述第1区域上而形成相对于所述第1区域表面的凸部，且位于所述第1区域与所述第2接点之间。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
