[发明专利]像素结构、图像传感器、摄像装置和电子设备

摘要

本发明可以减少在使用包括SPAD的像素时产生的后脉冲的影响。在SPAD像素中，形成有P+型半导体层和N+型半导体层的PN结部分，在比PN结部分深并靠近光吸收层的区域中形成有浓度高于硅基板的浓度的P型半导体层。在没有进行不产生后脉冲的猝灭操作的情况下，在光吸收层中产生的电子被引导到PN结部分，并进行雪崩放大。当在雪崩放大之后进行猝灭操作时，电子通过势垒被引导到N+型半导体层，从而防止雪崩放大。本公开适用于包括SPAD的图像传感器。

主权项

1.一种单光子雪崩二极管(SPAD)的像素结构，所述像素结构包括：接合部分，第一导电类型的第一半导体层和与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体层在所述接合部分处接合；以及所述第一导电类型的第三半导体层，其杂质浓度高于硅基板的杂质浓度，所述第三半导体层位于在入射光的入射方向上在所述接合部分的前方的区域中。