[发明专利]具有垂直扩散板的电容器结构有效
| 申请号： | 201980000232.8 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109923666B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 陈亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种电容器结构，包括半导体衬底、设置在半导体衬底中的第一垂直扩散板、设置在半导体衬底中并围绕第一垂直扩散板的第一浅沟槽隔离(STI)结构、以及设置在半导体衬底中并围绕第一STI结构的第二垂直扩散板。第一垂直扩散板还包括作为半导体衬底的一部分的第一下部。第一下部被第一晶片背面沟槽隔离结构围绕并电隔离。第一晶片背面沟槽隔离结构与第一STI结构的底部直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 扩散 电容器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种电容器结构，包括：半导体衬底；第一垂直扩散板，其设置在所述半导体衬底中，其中所述第一垂直扩散板还包括作为所述半导体衬底的一部分的第一下部，并且其中所述第一下部被第一晶片背面沟槽隔离结构围绕并电隔离；第一浅沟槽隔离(STI)结构，其设置在所述半导体衬底中，并且所述第一STI结构围绕所述第一垂直扩散板；以及第一导电类型的第二垂直扩散板，其设置在所述半导体衬底中，并且所述第二垂直扩散板围绕所述第一STI结构。
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