[发明专利]具有垂直扩散板的电容器结构

权利要求书

1.一种电容器结构，包括：

半导体衬底；

第一垂直扩散板，其设置在所述半导体衬底中，其中所述第一垂直扩散板还包括作为所述半导体衬底的一部分的第一下部，并且其中所述第一下部被第一晶片背面沟槽隔离结构围绕并电隔离；

第一浅沟槽隔离(STI)结构，其设置在所述半导体衬底中，并且所述第一STI结构围绕所述第一垂直扩散板；以及

第一导电类型的第二垂直扩散板，其设置在所述半导体衬底中，并且所述第二垂直扩散板围绕所述第一STI结构，

其中在所述第一垂直扩散板和所述第二垂直扩散板之间形成第一电容器，其中插入在所述第一垂直扩散板和所述第二垂直扩散板之间的所述第一STI结构和所述第一晶片背面沟槽隔离结构用作第一电容器电介质层。

2.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一晶片背面沟槽隔离结构与所述第一STI结构的底部直接接触。

3.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一晶片背面沟槽隔离结构的横向厚度小于所述第一STI结构的横向厚度。

4.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一晶片背面沟槽隔离结构具有与所述第一STI结构的环形形状相同的环形形状。

5.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一垂直扩散板是P型掺杂或N型掺杂区域。

6.根据权利要求5所述的电容器结构，其中所述第二垂直扩散板是P型掺杂或N型掺杂区域。

7.根据权利要求1所述的电容器结构，还包括：

设置在所述半导体衬底的背面上的绝缘层。

8.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一STI结构和所述第一晶片背面沟槽隔离结构将所述第一垂直扩散板与所述第二垂直扩散板隔离。

9.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一垂直扩散板电耦合到第一电压，并且所述第二垂直扩散板电耦合到第二电压，其中所述第二电压高于所述第一电压。

10.根据权利要求1所述的电容器结构，还包括：

第一重掺杂区域，其设置在所述第一垂直扩散板的表面上；以及

第二重掺杂区域，其设置在所述第二垂直扩散板的表面上。

11.根据权利要求1所述的电容器结构，还包括：

第二浅沟槽隔离(STI)结构，其设置在所述半导体衬底中，并且所述第二STI结构围绕所述第二垂直扩散板、所述第一STI结构和所述第一垂直扩散板。

12.根据权利要求11所述的电容器结构，其中所述第二垂直扩散板还包括作为所述半导体衬底的一部分的第二下部。

13.根据权利要求12所述的电容器结构，其中所述第二下部被第二晶片背面沟槽隔离结构和所述第一晶片背面沟槽隔离结构围绕并电隔离。

14.根据权利要求11所述的电容器结构，其中所述第二STI结构、所述第二垂直扩散板、所述第一STI结构与所述第一垂直扩散板同心地布置。

15.根据权利要求11所述的电容器结构，其中所述第一垂直扩散板和所述第二垂直扩散板是由所述第一STI结构和所述第二STI结构限定和隔离的硅活性区域。

16.根据权利要求11所述的电容器结构，还包括：

直接在所述第一STI结构或所述第二STI结构的顶表面上的无源元件。

17.根据权利要求16所述的电容器结构，其中所述无源元件包括电阻器。