[实用新型]一种功率半导体模块和功率半导体器件有效
| 申请号： | 201922010344.1 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN210516724U | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 新居良英;刘乐;刘莉飞;王庆凯;高崎哲;苟文辉 | 申请（专利权）人： | 上海大郡动力控制技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/15 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201112 上海市闵行区浦江镇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率半导体模块和功率半导体器件。该模块包括：上桥IGBT芯片、下桥IGBT芯片、第一DBC和DBC；所述第一DBC中第一金属层包括相互绝缘的第一子金属层和第二子金属层；所述上桥IGBT芯片的集电极与所述第一子金属层连接，所述下桥IGBT芯片的集电极与所述第二子金属层连接；所述第一子金属层与直流回路正极电连接；所述上桥IGBT芯片的发射极与所述第二子金属层电连接；所述下桥IGBT芯片的发射极与所述第二DBC中第三金属层的第一绑定焊点电连接；所述第三金属层的第二绑定焊点与直流回路负极电连接；所述第一绑定焊点和所述第二绑定焊点位于所述第一DBC的相对两侧。该模块能够减小内部寄生电感，提升器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 模块 半导体器件 | ||
【主权项】：
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