[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201921909413.6 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN210575895U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体结构；基底，所述基底划分为若干个芯片区域；保护层，位于所述基底上，覆盖所述芯片区域；所述保护层覆盖所述芯片区域的区域内形成有若干个凹槽，所述凹槽的深度小于所述保护层的厚度。上述半导体结构通过在保护层覆盖芯片区域内形成若干个凹槽，可以增加保护层的表面粗糙程度及表面积，从而提高后段封装时保护层与塑封层的接着性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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