[实用新型]一种碳化硅异质结二极管功率器件有效
| 申请号： | 201921298232.4 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN210325811U | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;佟俊宏;陈然;黄兴;陈欣璐 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州市滨江区浦*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种碳化硅异质结二极管功率器件。异质结二极管利用不同的半导体材料的能带隙，其性能非常接近理想二极管，对半导体技术具有重大影响。相比于传统碳化硅SBD和PiN二极管而言具有更小的导通压降，且可以在异质结层上通过不同的掺杂形成不同的势垒差随即获得不同的导通压降。因此本实用新型有助于大幅降低功率二极管的开通损耗。且本实用新型在减小二极管正向导通压降的同时对二极管的反向击穿电压不产生或仅产生极小的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 异质结 二极管 功率 器件 | ||
【主权项】：
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