[实用新型]存储器有效
| 申请号： | 201920861212.7 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN209785940U | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种存储器，所述存储器包括：包括：衬底，所述衬底内形成有自衬底内部向衬底表面依次层叠的漏极掺杂层、沟道掺杂层以及源极掺杂层；位于所述沟道掺杂层下方且至少部分位于所述漏极掺杂层内的位线，以及贯穿所述位线的第一隔离结构，所述位线和第一隔离结构沿第一方向延伸；位于所述衬底内沿第一方向延伸的位于所述位线两侧的第三隔离结构；位于所述衬底内且位于所述沟道掺杂层内的字线结构，以及贯穿所述字线结构的第二隔离结构，所述字线结构和第二隔离结构沿第二方向延伸。上述方法存储器的存储密度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离结构 衬底 位线 沟道掺杂层 存储器 方向延伸 字线结构 掺杂层 漏极 本实用新型 衬底表面 依次层叠 源极掺杂 贯穿 存储 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底内形成有自衬底内部向衬底表面依次层叠的漏极掺杂层、沟道掺杂层以及源极掺杂层；/n位于所述沟道掺杂层下方且至少部分位于所述漏极掺杂层内的位线，以及贯穿所述位线的第一隔离结构，所述位线和第一隔离结构沿第一方向延伸；/n位于所述衬底内沿第一方向延伸的位于所述位线两侧的第三隔离结构；/n位于所述衬底内且位于所述沟道掺杂层内的字线结构，以及贯穿所述字线结构的第二隔离结构，所述字线结构和第二隔离结构沿第二方向延伸。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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