[实用新型]一种硅片去氧化层装置有效
| 申请号： | 201920613896.9 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN209691728U | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 朱亚文;马勤明 | 申请（专利权）人： | 重庆长捷电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司： | 44260 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘鑫<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 409100 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅片去氧化层装置，包括酸洗池、放置架、吹气管、加热管和温控器，所述放置架可拆卸的设置在所述酸洗池的底部；所述吹气管的下端设置有出气孔，所述出气孔设置于所述酸洗池的底部；所述加热管设于所述酸洗池内，且所述加热管通过设置于所述酸洗池上的温控器连接并控制其加热温度。本实用新型通过吹气管向酸洗池中不断通入氮气或者惰性气体，使其在酸液中形成气泡，在浮力的作用下，气泡将氧化层与酸液反应后的产物不断带离硅片表面，从而使位置较深的氧化层裸露出来，继续与酸液反应，同时对酸液进行加热，也加快了氧化层与酸液的反应速度，以此达到快速的去除氧化层的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 酸洗池 氧化层 吹气管 加热管 酸液 本实用新型 酸液反应 出气孔 放置架 温控器 加热 去氧化层装置 氮气 惰性气体 硅片表面 可拆卸的 硅片 浮力 下端 去除 裸露 | ||
【主权项】：
1.一种硅片去氧化层装置，其特征在于：包括酸洗池(1)、放置架(2)、吹气管(3)、加热管(4)和温控器(5)，所述放置架(2)可拆卸的设置在所述酸洗池(1)的底部；所述吹气管(3)的下端设置有出气孔(32)，所述出气孔(32)设置于所述酸洗池(1)的底部；所述加热管(4)设于所述酸洗池(1)内，且所述加热管(4)通过设置于所述酸洗池(1)上的温控器(5)连接并控制其加热温度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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