[实用新型]一种高精度硅物理掩膜版有效
| 申请号： | 201920485718.2 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN209895135U | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 邰凯平;赵洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | G03F1/64 | 分类号： | G03F1/64 |
| 代理公司： | 21234 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及掩膜版技术领域，尤其涉及一种高精度硅物理掩膜版。硅物理掩膜版分为支撑框架和精细图形挡板两层，上层为精细图形挡板，下层为支撑框架，具体结构如下：支撑框架中间开设支撑框架窗口，在精细图形挡板中间与支撑框架窗口相应处，开设镀层图形窗口。该掩膜版使用的原材料为双抛双面氮化硅的单晶硅片，在单晶硅片的一侧采用光刻和深硅刻蚀的方法刻蚀出一定深度的图形；在单晶硅片的另一侧采用光刻、反应离子刻蚀和湿法刻蚀等技术，使图形区域镂空，并保证其刚度，形成最小缝隙可小于2μm的高精度硅基物理掩膜版。相较于普通金属物理掩膜版，本实用新型具有精度高、图形尺寸可达几微米甚至百纳米的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑框架 挡板 单晶硅片 精细图形 物理掩膜 掩膜版 本实用新型 光刻 刻蚀 反应离子刻蚀 金属物理 湿法刻蚀 图形窗口 图形区域 镂空 氮化硅 小缝隙 镀层 硅基 两层 下层 上层 保证 | ||
【主权项】：
1.一种高精度硅物理掩膜版，其特征在于，硅物理掩膜版分为支撑框架和精细图形挡板两层，上层为精细图形挡板，下层为支撑框架，具体结构如下：支撑框架中间开设支撑框架窗口，在精细图形挡板中间与支撑框架窗口相应处，开设镀层图形窗口。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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