[实用新型]一种高精度硅物理掩膜版

说明书

本实用新型涉及掩膜版技术领域，尤其涉及一种高精度硅物理掩膜版。硅物理掩膜版分为支撑框架和精细图形挡板两层，上层为精细图形挡板，下层为支撑框架，具体结构如下：支撑框架中间开设支撑框架窗口，在精细图形挡板中间与支撑框架窗口相应处，开设镀层图形窗口。该掩膜版使用的原材料为双抛双面氮化硅的单晶硅片，在单晶硅片的一侧采用光刻和深硅刻蚀的方法刻蚀出一定深度的图形；在单晶硅片的另一侧采用光刻、反应离子刻蚀和湿法刻蚀等技术，使图形区域镂空，并保证其刚度，形成最小缝隙可小于2μm的高精度硅基物理掩膜版。相较于普通金属物理掩膜版，本实用新型具有精度高、图形尺寸可达几微米甚至百纳米的优点。

技术领域

本实用新型涉及掩膜版技术领域，尤其涉及一种高精度硅物理掩膜版。

背景技术

掩膜技术是可以在基片上实现图形化的镀膜的一种技术手段，目前主要的掩膜版主要分为两种，一种是光刻掩膜版，另一种是物理掩膜版。

物理掩膜版是一种带有开孔的板体结构，掩膜版上的开孔形成掩膜版的掩膜图案，通过掩膜图案可以在基板上形成与掩膜图案相对应的图案。例如，可以将物理掩膜版覆盖在基片上，再去镀膜，之后将掩膜版取下，就得到图形化的膜层。其具有镀膜速度快、工艺流程简单和损伤小的优点。但市场上常见的物理掩膜版通常是金属掩膜版，其精度较差，通常最小的线缝在20μm以上。

而利用光刻掩膜版实现图形化镀膜的具体方式是，先在基片上旋涂光刻胶，再利用光刻掩膜版可以进行图形化的遮挡曝光，进而通过显影，使光刻胶在基片上进行图形化的覆盖，进而去镀膜，去胶，就得到所需的图形化膜层。其具有精度高的优点，但是其工艺过程相当复杂，流程较慢，需要将基片进行多次液体浸泡，对基片的损伤较大。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种高精度硅物理掩膜版，该种高精度硅物理掩膜版区别于市场上常见的物理掩膜版，采用单晶硅片作为原材料。最小缝隙可达2μm，可以快速的沉积高精度的图形化镀层。达到普通紫外光刻的精度，却和普通物理掩膜版的操作工艺一样简单。

为了实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种高精度硅物理掩膜版，硅物理掩膜版分为支撑框架和精细图形挡板两层，上层为精细图形挡板，下层为支撑框架，具体结构如下：支撑框架中间开设支撑框架窗口，在精细图形挡板中间与支撑框架窗口相应处，开设镀层图形窗口。

所述的高精度硅物理掩膜版，硅物理掩膜版采用两抛双面氮化硅的单晶硅片。

所述的高精度硅物理掩膜版，支撑框架窗口与基片外围之间进行精确定位配合，精细图形挡板的内侧面与支撑框架窗口相应处贴合在基片表面。

所述的高精度硅物理掩膜版，上层精细图形挡板的厚度为单晶硅片一侧深硅刻蚀的深度，下层支撑框架的厚度为单晶硅片另一侧通过支撑框架窗口暴露上层精细图形挡板的镀层图形窗口。

所述的高精度硅物理掩膜版，镀层图形窗口为精细图形窗口之间通过精细图形连线沟道相通。

所述的高精度硅物理掩膜版，支撑框架窗口的四个侧面均采用斜面或垂直面。

本实用新型设计思路如下：