[实用新型]一种高精度硅物理掩膜版有效
| 申请号： | 201920485718.2 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN209895135U | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 邰凯平;赵洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | G03F1/64 | 分类号： | G03F1/64 |
| 代理公司： | 21234 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支撑框架 挡板 单晶硅片 精细图形 物理掩膜 掩膜版 本实用新型 光刻 刻蚀 反应离子刻蚀 金属物理 湿法刻蚀 图形窗口 图形区域 镂空 氮化硅 小缝隙 镀层 硅基 两层 下层 上层 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种高精度硅物理掩膜版，其特征在于，硅物理掩膜版分为支撑框架和精细图形挡板两层，上层为精细图形挡板，下层为支撑框架，具体结构如下：支撑框架中间开设支撑框架窗口，在精细图形挡板中间与支撑框架窗口相应处，开设镀层图形窗口。
2.按照权利要求1所述的高精度硅物理掩膜版，其特征在于，硅物理掩膜版采用两抛双面氮化硅的单晶硅片。
3.按照权利要求1所述的高精度硅物理掩膜版，其特征在于，支撑框架窗口与基片外围之间进行精确定位配合，精细图形挡板的内侧面与支撑框架窗口相应处贴合在基片表面。
4.按照权利要求1所述的高精度硅物理掩膜版，其特征在于，上层精细图形挡板的厚度为单晶硅片一侧深硅刻蚀的深度，下层支撑框架的厚度为单晶硅片另一侧通过支撑框架窗口暴露上层精细图形挡板的镀层图形窗口。
5.按照权利要求1所述的高精度硅物理掩膜版，其特征在于，镀层图形窗口为精细图形窗口之间通过精细图形连线沟道相通。
6.按照权利要求1所述的高精度硅物理掩膜版，其特征在于，支撑框架窗口的四个侧面均采用斜面或垂直面。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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