[实用新型]三维双面硅微条探测器有效
| 申请号： | 201920424893.0 | 申请日： | 2019-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN209675280U | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李正;张亚 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L25/04 | 分类号： | H01L25/04;H01L31/0224;H01L31/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 43210 长沙新裕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周跃仁<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 411105 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种三维双面硅微条探测器，包括上部探测单元、下部探测单元和中间半导体基体，上部探测单元的上沟槽电极内均匀嵌有相互平行的上半导体基体，上半导体基体内嵌有上中央电极；下部探测单元的下沟槽电极内均匀嵌有相互平行的下半导体基体，下半导体基体内嵌有下中央电极；上半导体基体、上沟槽电极、上中央电极、下半导体基体、下沟槽电极和下中央电极高度相等；下部探测单元位于上部探测单元正下方，且两者在水平方向错开一定角度。上半导体基体、下半导体基体和中间半导体基体的掺杂浓度为1×1012cm‑3；上沟槽电极、上中央电极、下沟槽电极和下中央电极的掺杂浓度均为1×1018～5×1019cm‑3。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基体 探测单元 中央电极 电极 嵌有 上沟槽 下沟槽 半导体基 平行 掺杂 体内 水平方向错开 本实用新型 高度相等 探测器 微条 三维 | ||
【主权项】：
1.三维双面硅微条探测器，其特征在于，包括上部探测单元、下部探测单元和中间半导体基体(7)，上部探测单元位于中间半导体基体(7)的上部，下部探测单元位于中间半导体基体(7)的下部；上部探测单元由上半导体基体(1)、上沟槽电极(2)和上中央电极(3)组成，上沟槽电极(2)为长方体，其内均匀嵌有多个相互平行的上半导体基体(1)，上半导体基体(1)内嵌有上中央电极(3)；下部探测单元均由下半导体基体(4)、下沟槽电极(5)和下中央电极(6)组成，下沟槽电极(5)为长方体，其内均匀嵌有多个相互平行的下半导体基体(4)，下半导体基体(4)内嵌有下中央电极(6)；上半导体基体(1)、上沟槽电极(2)、上中央电极(3)、下半导体基体(4)、下沟槽电极(5)和下中央电极(6)高度均相等；下部探测单元位于上部探测单元正下方，且两者在水平方向错开一定角度。/n
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