[实用新型]一种提升TFT稳定性的基板结构有效
| 申请号： | 201920327768.8 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN209641659U | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51 |
| 代理公司： | 35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 351100福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种提升TFT稳定性的基板结构，包括基板和所述基板上依次形成的栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层、源漏极金属层和IGZO有源层，所述栅极绝缘层包括SIOx绝缘层和SINx绝缘层双层结构，所述SIOx绝缘层覆盖于基板上，所述SINx绝缘层位于SIOx绝缘层与栅极金属层之间，SINx绝缘层与栅极金属层的形状大小相适配，所述源漏极金属层形成源极和漏极，所述源极与漏极之间的IGZO有源层为沟道区域。本方案中只保留栅极金属层下方的SINx绝缘层，缩小了SINx绝缘层的占比，在保证半导体层Poly‑Si的悬挂键修复效果的同时，能够有效降低后续IGZO有源层在热退火时SiNx中H离子转移至IGZO膜层概率，进而提升TFT器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 栅极金属层 基板 源漏极金属层 栅极绝缘层 漏极 源极 本实用新型 层间绝缘层 绝缘层覆盖 半导体层 沟道区域 基板结构 离子转移 双层结构 热退火 悬挂键 膜层 适配 修复 保留 概率 保证 | ||
【主权项】：
1.一种提升TFT稳定性的基板结构，其特征在于，包括基板和所述基板上依次形成的栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层、源漏极金属层和IGZO有源层，所述栅极绝缘层包括SIOx绝缘层和SINx绝缘层双层结构，所述SIOx绝缘层覆盖于基板上，所述SINx绝缘层位于SIOx绝缘层与栅极金属层之间，SINx绝缘层与栅极金属层的形状大小相适配，所述源漏极金属层形成源极和漏极，所述源极与漏极之间的IGZO有源层为沟道区域。/n
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