[实用新型]一种二硫化钼晶体管有效
| 申请号： | 201821530305.3 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN209401632U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 韩琳;姜建峰;张宇 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/24;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种二硫化钼晶体管，该晶体管中以PMMA/SiO2为下介电层，以PMMA为上介电层，使得晶体管沟道的界面情况得到极大的改善，使得二硫化钼晶体管可以实现高场效应电子迁移率和极小的滞后，极大提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 二硫化钼 本实用新型 电子迁移率 晶体管沟道 器件性能 上介电层 下介电层 高场 滞后 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化钼晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；在半导体衬底上设置有栅极；在栅极上设置有二氧化硅介质层；在二氧化硅介质层上设置有PMMA介质层；在PMMA介质层上具有二硫化钼二维半导体层；在二硫化钼二维半导体层上及其侧部具有源/漏电极；在二硫化钼二维半导体层和源/漏电极上具有PMMA介质层；其中，该半导体衬底为硅片。
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