[实用新型]一种提高GaN功率器件击穿电压的外延结构有效
| 申请号： | 201920241671.5 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN209487513U | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 白欣娇;李帅;崔素杭 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 周大伟 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种提高GaN功率器件击穿电压的外延结构，包括基板和外延层，所述外延层设置在基板的顶部，所述基板的内部设有陶瓷纤维，所述基板的顶部设有矩形槽，所述矩形槽内设有导热装置，本实用新型通过在基板内部掺杂有陶瓷纤维，用于增加器件的抗击穿能力，且利用陶瓷的导热性能，利于基板的散热，避免基板温度升高，产生热击穿，基板内的导热装置由铜板和导热杆，通过铜板位于基板内部，用于收集基板内的热量，并通过导热杆将热量导出，增加基板的散热效果，提高使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 本实用新型 导热装置 击穿电压 基板内部 陶瓷纤维 外延结构 导热杆 矩形槽 外延层 铜板 导热性能 散热效果 使用寿命 收集基板 抗击穿 热击穿 散热 导出 掺杂 陶瓷 | ||
【主权项】：
1.一种提高GaN功率器件击穿电压的外延结构，包括基板(1)和外延层(2)，所述外延层(2)设置在基板(1)的顶部，其特征在于：所述基板(1)的内部设有陶瓷纤维(3)，所述基板(1)的顶部设有矩形槽(5)，所述矩形槽(5)内设有导热装置(4)；所述导热装置(4)包括铜板(6)和导热杆(10)，所述矩形槽(5)的左右两端均设有安装槽(11)，所述安装槽(11)内固定安装有导热硅脂块(8)，所述铜板(6)的左右两端均一体成型有固定块(7)，所述固定块(7)位于安装槽(11)内，两个所述安装槽(11)的外壁均设有通孔(9)，所述导热杆(10)固定安装在通孔(9)内。
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