[实用新型]集成电路有效
| 申请号： | 201920215739.2 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN209471966U | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | A·高蒂尔;J·博雷尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L29/06;H01L29/10;H01L27/082 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及一种集成电路。双极结型晶体管包括被掩埋在半导体衬底中在本征集电极区域下方的非本征集电极区域。设置含碳钝化区域来划定所述本征集电极区域。本征集电极区域上的绝缘层包括设置有非本征基极区域的开口。半导体层覆盖绝缘层，与非本征基极区域接触，并且包括带有隔离侧壁的开口。晶体管的集电极区域被设置在隔离侧壁之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电极区域 隔离侧壁 集成电路 绝缘层 开口 非本征基极区域 双极结型晶体管 覆盖绝缘层 集电极区域 半导体层 本征基极 钝化区域 区域接触 晶体管 衬底 与非 半导体 掩埋 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路包括双极结型晶体管，所述双极结型晶体管包括：非本征集电极区域，所述非本征集电极区域被掩埋在半导体衬底中，位于本征集电极区域下方；绝缘区域，所述绝缘区域在所述本征集电极区域上；非本征基极区域，所述非本征基极区域在所述绝缘区域上；以及含碳钝化区域，所述含碳钝化区域在所述本征集电极区域中、并且面向所述非本征基极区域。
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