[发明专利]一种异质结电池制备方法

摘要

本发明公开了一种异质结电池制备方法，异质结电池包括依次顺序设置的栅电极、透明导电层、n型非晶硅层、本征非晶硅层、单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶硅层、透明导电层及栅电极，制备方法包括：在进行所述透明导电层的镀膜工艺之前，对所述异质结电池的半成品所处环境进行水汽管控，使所述异质结电池的半成品所处环境中的水汽含量控制在4E‑9mbar~6E‑9mbar范围内。该异质结电池制备方法在进行透明导电层的镀膜工艺之前通过进行水汽管控，使得形成的透明导电层的方阻降低，稳定性提升，波动减少；并使得最终形成的异质结电池的转换效率提高，填充因子增加，同时降低了串联电阻值。