[发明专利]电迁移测试结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201911409389.4 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111081681B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 李宁曦;王志强;韩坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电迁移测试结构及其形成方法。所述电迁移测试结构包括：衬底，所述衬底内具有若干个阻挡结构，所述阻挡结构包括若干个相互串联的PN结，且所述PN结与测试时待测线外围的测试信号形成反偏；叠层结构，位于所述衬底表面，包括至少一子叠层，所述子叠层包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列、且相互连接的若干导热层；所述叠层结构背离所述衬底的表面用于与一待测线连接，以将所述待测线产生的焦耳热传导至所述衬底。本发明一方面，避免待测线自身产生的焦耳热的对测试结果的影响，提高了电迁移测试结果的准确度和可靠性；另一方面，避免了电迁移测试过程中的电流流向所述衬底，确保了测试结果的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 迁移 测试 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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