[发明专利]复合薄膜及其制备方法和发光二极管在审
申请号: | 201911406748.0 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113130780A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 邓承雨;芦子哲 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 张杨梅 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种复合薄膜及其制备方法和发光二极管。本发明提供的制备方法包括:将金属氧化物纳米颗粒和聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)在溶液中进行混合,以获得第一混合溶液;将第一混合溶液沉积在基板上,以获得复合薄膜;其中,金属氧化物纳米颗粒选自:三氧化二钇、二氧化锆和五氧化二铌中的至少一种。由此,制得的复合薄膜致密度高,可避免电极形成漏电流,膜层均匀性高,具有良好的空穴传输效率,可用于提升发光二极管的发光性能。 | ||
搜索关键词: | 复合 薄膜 及其 制备 方法 发光二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择