[发明专利]复合薄膜及其制备方法和发光二极管

说明书

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种复合薄膜及其制备方法和发光二极管。本发明提供的制备方法包括：将金属氧化物纳米颗粒和聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)在溶液中进行混合，以获得第一混合溶液；将第一混合溶液沉积在基板上，以获得复合薄膜；其中，金属氧化物纳米颗粒选自：三氧化二钇、二氧化锆和五氧化二铌中的至少一种。由此，制得的复合薄膜致密度高，可避免电极形成漏电流，膜层均匀性高，具有良好的空穴传输效率，可用于提升发光二极管的发光性能。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种复合薄膜及其制备方法和发光二极管。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是使用量子点作为发光层材料应用到有机或聚合物电致发光器件中的一种新型显示器件，由电子和空穴注入到发光层并通过辐射复合发光，由于QLED具备低成本、重量轻、响应速度快、色彩饱和度高等优点，使其拥有广阔的发展前景，已成为新一代LED显示器件的重要研究方向之一。

聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)为一种新型的有机导电材料，因其具有高电导率、高光学透过性和对基板的覆盖度高等优点，成为了QLED器件中最为常见的空穴注入层材料。然而，PEDOT:PSS是一种弱酸性材料，容易造成界面化学腐蚀损伤。例如，当基板为氧化铟锡电极时，由于PEDOT:PSS的酸性腐蚀导致铟离子扩散到空穴注入层，引起底电极漏电流。

因此，目前的复合薄膜及其制备方法和发光二极管，仍有待改进。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种复合薄膜的制备方法，旨在解决现有PEDOT:PSS空穴注入层在应用过程中因酸性腐蚀ITO电极而形成漏电流的问题。

本发明的另一目的在于提供一种复合薄膜，又一目的在于提供一种发光二极管。

为实现上述发明目的，第一方面，本发明提供了一种复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：

将金属氧化物纳米颗粒和聚(3,4～亚乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)在溶液中进行混合，以获得第一混合溶液；

将所述第一混合溶液沉积在基板上，以获得所述复合薄膜；

其中，所述金属氧化物纳米颗粒选自三氧化二钇、二氧化锆和五氧化二铌中的至少一种。

本发明提供的复合薄膜的制备方法，通过将含有金属氧化物纳米颗粒和聚(3,4～亚乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)的第一混合溶液沉积在基板上制得复合薄膜，无需加入特殊的化学试剂，操作简单可控。本发明方法将金属氧化物纳米颗粒与PEDOT:PSS进行复合，且金属氧化物纳米颗粒选自三氧化二钇、二氧化锆和五氧化二铌中的至少一种，有效填充了PEDOT:PSS成膜时产生的孔洞，促进形成致密的掺杂膜层以及提高膜层表面的平整度，与此同时，三氧化二钇、二氧化锆和五氧化二铌的半径大于游离铟离子，从而有效地阻止了后续应用过程中因电极被酸性腐蚀产生的游离铟离子扩散进入空穴注入层，进而避免电极形成漏电流。通过本发明方法制得的复合薄膜致密度高，膜层均匀性高，具有良好的空穴传输效率，可用于提升发光二极管的发光性能。

第二方面，本发明还提供了一种复合薄膜，所述复合薄膜由上述制备方法制得。

本发明提供的复合薄膜，由上述制备方法制得，具有高致密度、高膜层均匀性以及良好的空穴传输效率等特点，将其作为空穴注入层制备发光二极管时，有利于提升发光二极管的空穴注入效率，提高发光二极管的发光性能。

第三方面，本发明还提供了一种发光二极管，包括：

阳极，阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，设置在所述阳极和所述发光层之间的空穴注入层；

其中，所述空穴注入层由上述制备方法制得。