[发明专利]复合薄膜及其制备方法和发光二极管在审
申请号: | 201911406748.0 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113130780A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 邓承雨;芦子哲 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 张杨梅 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 薄膜 及其 制备 方法 发光二极管 | ||
1.一种复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将金属氧化物纳米颗粒和聚(3,4-亚乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)在溶液中进行混合,以获得第一混合溶液;
将所述第一混合溶液沉积在基板上,以获得所述复合薄膜;
其中,所述金属氧化物纳米颗粒选自:三氧化二钇、二氧化锆和五氧化二铌中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一混合溶液是通过以下步骤获得的:
将所述金属氧化物纳米颗粒加入到含有铵根离子的第二混合溶液中,并进行第一混合处理,以获得金属氧化物前驱体溶液;
将含有聚(3,4-亚乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)的第三混合溶液与所述金属氧化物前驱体溶液进行第二混合处理,以获得所述第一混合溶液。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述第二混合溶液为铵盐溶液和/或氨水;
任选地,所述金属氧化物前驱体溶液中,所述金属氧化物纳米颗粒与所述铵根离子的质量比为1:(3~8)。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述第一混合处理包括:
对加入有所述金属氧化物纳米颗粒的所述第二混合溶液依次进行搅拌处理以及超声处理;
其中,所述搅拌处理的转速为2000~3000rpm,所述搅拌处理的时间为10~30分钟;
所述超声处理的功率为100~400W,所述超声处理的时间为10~60分钟。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,进行所述第二混合处理时,所述聚(3,4-亚乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)的浓度为10~60mg/mL;
所述金属氧化物前驱体的浓度为3~10mg/mL。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法,其特征在于,将所述第一混合溶液沉积在基板上的步骤包括:
以2000rpm~4000rpm的转速将所述第一混合溶液旋涂在所述基板上;
其中,所述旋涂的时间为10~30秒。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法,其特征在于,将所述第一混合溶液沉积在基板上的步骤之后还包括:
在120℃~180℃下进行退火处理。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法,其特征在于,将金属氧化物纳米颗粒和聚(3,4-亚乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)在溶剂中进行混合的步骤中,所述金属氧化物纳米颗粒和所述聚(3,4-亚乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)的重量比为(1~10):(1~20)。
9.一种复合薄膜,其特征在于,所述复合薄膜由权利要求1至8中任一项所述的制备方法制得。
10.一种发光二极管,其特征在于,包括:
相对设置的阳极以及阴极;
设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层;
设置在所述阳极和所述发光层之间的空穴注入层;
其中,所述空穴注入层由权利要求1至8中任一项所述的制备方法制得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择