[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法在审
| 申请号： | 201911403595.4 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128686A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 特洛伊·乔纳森·贝克;罗晓菊;王颖慧;武泽成 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 200135 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法；包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成氮化物缓冲层；于氮化物缓冲层的表面形成镍层；对镍层进行氮化处理，于氮化处理后的镍层内形成有孔洞。本发明通过在氮化物缓冲层的表面形成镍层，镍层中的部分镍会渗入到位于其下方的氮化物缓冲层内，形成暗色疏松层，导致镍层、氮化物缓冲层与镍层接触的部分及氮化镓层与镍层接触的部分的密实度降低，相互之间的连接性降低，便于在后续半导体结构上形成的氮化镓层的自剥离；通过对镍层进行氮化处理，可以将镍层转变成具有暴露出氮化物缓冲层的孔洞的材料层，更有利于在后续半导体结构上形成的氮化镓层的自剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 支撑 氮化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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