[发明专利]半导体结构及用于形成半导体结构的方法在审

专利信息
申请号: 201911394510.0 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN112447779A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 周世培;卢玠甫 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/552
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 王素琴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明的各种实施例涉及包括设置在半导体衬底内的接垫的半导体结构及用于形成半导体结构的方法。半导体衬底具有后侧表面及与后侧表面相对的前侧表面。半导体衬底的上表面在垂直方向上低于后侧表面。接垫延伸穿过半导体衬底。接垫包括位于半导体衬底的上表面之上的导电主体以及从半导体衬底的上表面上方延伸到前侧表面下方的导电突出部。接垫的顶表面与半导体衬底的后侧表面之间的垂直距离小于导电突出部的高度。第一接垫隔离结构延伸穿过半导体衬底且横向地环绕导电突出部。
搜索关键词: 半导体 结构 用于 形成 方法
【主权项】:
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