[发明专利]一种接触孔及其制作方法有效
| 申请号： | 201911392053.1 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128872B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 左青云;蒋宾;卢意飞;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 吴浩 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种接触孔的制作方法，包括如下步骤：S01：提供衬底，在所述衬底上形成下层导电电极；S02：在所述下层导电电极上沉积第一薄膜层，并在所述第一薄膜层上刻蚀出贯穿所述第一薄膜层的接触大孔；S03：在所述第一薄膜层上沉积第二薄膜层并刻蚀，使得所述第二薄膜层在所述接触大孔的侧壁上形成缓变台阶；且所述缓变台阶的顶部开口面积大于底部开口面积；S04：沉积功能层，并在接触大孔底部形成贯穿所述功能层的接触小孔；S05：沉积上层导电电极，所述上层导电电极通过所述接触小孔连接所述下层导电电极。本发明提供的一种接触孔及其制作方法，确保接触孔中上层导电电极不发生断裂，以提升器件良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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