[发明专利]一种接触孔及其制作方法

权利要求书

1.一种接触孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S01：提供衬底，在所述衬底上形成下层导电电极；

S02：在所述下层导电电极上沉积第一薄膜层，并在所述第一薄膜层上刻蚀出贯穿所述第一薄膜层的接触大孔；

S03：在所述第一薄膜层上沉积第二薄膜层并刻蚀，使得所述第二薄膜层在所述接触大孔的侧壁上形成缓变台阶；且所述缓变台阶的顶部开口面积大于底部开口面积；

S04：沉积功能层，并在接触大孔底部形成贯穿所述功能层的接触小孔；

S05：沉积上层导电电极，所述上层导电电极通过所述接触小孔连接所述下层导电电极。

2.根据权利要求1所述的一种接触孔的制作方法，其特征在于，所述步骤S02具体为：在所述下层导电电极上沉积刻蚀阻挡层和第一薄膜层，并在所述第一薄膜层上刻蚀出贯穿所述第一薄膜层的接触大孔；

所述步骤S04具体为：在接触大孔底部形成贯穿所述功能层和刻蚀阻挡层的接触小孔。

3.根据权利要求1所述的一种接触孔的制作方法，其特征在于，所述步骤S02中第一薄膜层包括介质材料层和/或非晶硅层。

4.根据权利要求1所述的一种接触孔的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜层的厚度大于500nm。

5.根据权利要求1所述的一种接触孔的制作方法，其特征在于，所述第二薄膜层包括绝缘介质层，且所述第二薄膜层的厚度小于第一薄膜层的厚度。

6.根据权利要求5所述的一种接触孔的制作方法，其特征在于，所述步骤S03中采用干法刻蚀对所述第二薄膜层进行刻蚀。

7.根据权利要求6所述的一种接触孔的制作方法，其特征在于，所述步骤S03具体包括：

S031：在所述第一薄膜层上沉积第二薄膜层；

S032：采用光片干法刻蚀去除第一薄膜层上表面的第二薄膜层，接触大孔侧壁为陡变台阶，接触大孔中残留的第二薄膜层在所述接触大孔的侧壁形成缓变台阶。

8.根据权利要求1所述的一种接触孔的制作方法，其特征在于，所述步骤S04还包括：在所述接触大孔内部以及第一薄膜层上表面沉积功能层，并在接触大孔底部形成贯穿所述功能层的接触小孔。

9.根据权利要求8所述的一种接触孔的制作方法，其特征在于，所述功能层包括介质层和功能材料层，所述步骤S04中在所述接触大孔内部以及第一薄膜层上表面依次沉积介质层和功能材料层。

10.一种接触孔，其特征在于，包括衬底、下层导电电极、上层导电电极、第一薄膜层、缓变台阶、功能层、接触大孔和接触小孔，其中，所述下层导电电极位于所述衬底上方，所述第一薄膜层位于所述下层导电电极上方，所述接触大孔位于所述第一薄膜层内部，且贯穿所述第一薄膜层，所述缓变台阶位于所述接触大孔的侧壁，且所述缓变台阶的顶部开口大于底部开口；所述功能层位于所述接触大孔内以及第一薄膜层上方，所述接触小孔位于所述接触大孔底部，且贯穿所述功能层，所述上层导电电极通过所述接触小孔连接所述下层导电电极。