[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构及功率半导体器件有效
| 申请号： | 201911370380.7 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN113053992B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王亚飞;陈喜明;张超;张文杰;李诚瞻;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构，包括：位于第一导电类型衬底层上的第一导电类型漂移区，位于漂移区内的第二导电类型阱区和JFET区，位于阱区表面内的增强区，位于第一导电类型增强区、阱区以及JFET区上且与它们同时接触的栅极绝缘层及其之上的栅极，位于增强区上的源极金属，位于第二电类型增强区和漂移区上的肖特基金属，以及位于衬底之下的漏极金属。本发明通过在三维分裂栅结构的碳化硅MOSFET元胞结构内集成SBD，提高了MOSFET器件体二极管的开启电压，提高了器件可靠性，通过SBD集成于MOSFET元胞结构的JFET区，增加了器件整体功率密度，且肖特基金属与JFET掺杂区域进行错位间隔设置，实现了导通电阻和漏电流较好的折中关系。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 器件 结构 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代半导体有限公司，未经株洲中车时代半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911370380.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无人化漆雾吸收一体机
- 下一篇：一种智能喷漆烘漆一体装置
- 同类专利
- 专利分类
