[发明专利]一种改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法有效
| 申请号： | 201911363060.9 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111128713B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 张剑;熊伟;徐晓俊;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L27/11517;H01L27/11563 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，在单元外围的STI区，上沉积字线多晶硅；在字线多晶硅上依次形成氧化层、氮化硅层；单位外围刻蚀，部分氮化硅层、氧化层及字线多晶硅被刻蚀至暴露出STI区为止；在氮化硅层上及暴露出的STI区上沉积厚栅氧层；单元双栅极的刻蚀，单元外围的氮化硅层上的厚栅氧层及暴露出的STI区上的厚栅氧层被去除；薄栅氧层生长；栅极多晶硅和硬掩膜层沉积；硬掩膜层、栅极多晶硅及薄栅氧层、氮化硅的刻蚀；栅极刻蚀，使氧化层被去除；接触控制门的刻蚀，使单元外围的STI区上的所有字线多晶硅被去除，本发明通过改进单元双栅极的刻蚀步骤以及在厚氧栅沉积后进行双栅极的光刻、刻蚀来解决字线多晶硅残留的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 nord flash 单元 边界 多晶 残留 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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