[发明专利]一种改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法

权利要求书

1.一种改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供单元外围的STI区，在所述STI区上沉积字线多晶硅；

步骤二、在所述字线多晶硅上依次形成氧化层、氮化硅层；

步骤三、单元外围刻蚀，部分所述氮化硅层、氧化层以及所述字线多晶硅被刻蚀至暴露出所述STI区为止；

步骤四、在所述氮化硅层上以及所述暴露出的STI区上沉积厚栅氧层；

步骤五、单元双栅极的刻蚀，所述单元外围的氮化硅层上的厚栅氧层以及暴露出的STI区上的厚栅氧层被去除；

步骤六、薄栅氧层生长；

步骤七、栅极多晶硅和硬掩膜层沉积；

步骤八、所述硬掩膜层、栅极多晶硅以及薄栅氧层、氮化硅的刻蚀；

步骤九、栅极刻蚀，使得所述氧化层被去除；

步骤十、接触控制门的刻蚀，使得所述单元外围的STI区上的所有字线多晶硅被去除。

2.根据权利要求1所述的改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，其特征在于：步骤一中所述字线多晶硅的厚度为2000埃。

3.根据权利要求1所述的改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，其特征在于：步骤一在进行所述字线多晶硅沉积后，对所述字线多晶硅依次进行湿法研磨和离子注入。

4.根据权利要求1所述的改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，其特征在于：步骤二中所述字线多晶硅上形成的氧化层是通过将所述字线多晶硅氧化后得到所述氧化层。

5.根据权利要求4所述的改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，其特征在于：步骤二中形成的所述氧化层的厚度为700埃。

6.根据权利要求4所述的改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，其特征在于：步骤二中形成的所述氮化硅层的厚度为540埃，形成所述氮化硅层的方法为沉积法。

7.根据权利要求1所述的改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，其特征在于：步骤三刻蚀所述单元外围之前先通过光刻定义刻蚀窗口。

8.根据权利要求1所述的改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，其特征在于：步骤四中形成的所述厚栅氧层的厚度为180埃。

9.根据权利要求1所述的改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，其特征在于：步骤四中沉积所述厚栅氧层之后，形成所述单元的N阱和P阱，并进行所述N阱和P阱的离子注入。

10.根据权利要求1所述的改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，其特征在于：步骤五中所述单元双栅极的刻蚀进行之前，采用光刻定义刻蚀窗口，该步骤中的所述刻蚀为湿法刻蚀。

11.根据权利要求1所述的改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，其特征在于：步骤六中生长的所述薄栅氧层的厚度为26埃。

12.根据权利要求1所述的改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，其特征在于：步骤七中沉积的所述栅极多晶硅的厚度为1000埃。

13.根据权利要求1所述的改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，其特征在于：步骤八中所述氮化硅的刻蚀为湿法刻蚀。