[发明专利]一种改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法

说明书

本发明提供一种改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，在单元外围的STI区，上沉积字线多晶硅；在字线多晶硅上依次形成氧化层、氮化硅层；单位外围刻蚀，部分氮化硅层、氧化层及字线多晶硅被刻蚀至暴露出STI区为止；在氮化硅层上及暴露出的STI区上沉积厚栅氧层；单元双栅极的刻蚀，单元外围的氮化硅层上的厚栅氧层及暴露出的STI区上的厚栅氧层被去除；薄栅氧层生长；栅极多晶硅和硬掩膜层沉积；硬掩膜层、栅极多晶硅及薄栅氧层、氮化硅的刻蚀；栅极刻蚀，使氧化层被去除；接触控制门的刻蚀，使单元外围的STI区上的所有字线多晶硅被去除，本发明通过改进单元双栅极的刻蚀步骤以及在厚氧栅沉积后进行双栅极的光刻、刻蚀来解决字线多晶硅残留的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法。

背景技术

传统工艺由于字线poly表面氧化物过厚，兼顾其他逻辑等器件制作工艺原因，不能完全去除单元(cell)边界字线多晶硅，从而严重影响flash cell(单元)的性能。

如图1a至图1h所示，图1a至图1h显示为现有技术的flash cell字线多晶硅去除各工艺阶段的结构示意图，有技术中的flash cell字线多晶硅去除工艺流程如下：字线多晶硅沉积；字线多晶硅湿法研磨平坦化；字线多晶硅离子注入；字线(WL)多晶硅上形成氧化层；字线氮化硅沉积保护；存储保护层(MPL，memory protection layer)单元外围光刻和刻蚀；厚栅氧沉积和生长；n阱和p阱的光刻及离子注入；存储单元区域的双栅光刻和湿法刻蚀；薄栅氧生长；栅极多晶硅沉积；存储单元光刻和栅极多晶硅刻蚀；存储单元去胶；氧化层和氮化硅湿法刻蚀；多晶硅硬掩膜氧化物沉积；栅极光刻和刻蚀；CGCT(接触控制门)光刻和刻蚀，最终在图1h中形成的存储单元边界残留有多晶硅。因此，需要提出一种新方法来解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，用于解决现有技术的工艺流程中不能完全去除存储单元边界字线多晶硅，从而严重影响flash单元的性能的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善NORD flash单元边界字线多晶硅残留的方法，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供单元外围的STI区，在所述STI区上沉积字线多晶硅；

步骤二、在所述字线多晶硅上依次形成氧化层、氮化硅层；

步骤三、单位外围刻蚀，部分所述氮化硅层、氧化层以及所述字线多晶硅被刻蚀至暴露出所述STI区为止；

步骤四、在所述氮化硅层上以及所述暴露出的STI区上沉积厚栅氧层；

步骤五、单元双栅极的刻蚀，所述单元外围的氮化硅层上的厚栅氧层以及暴露出的STI 区上的厚栅氧层被去除；

步骤六、薄栅氧层生长；

步骤七、栅极多晶硅和硬掩膜层沉积；

步骤八、所述硬掩膜层、栅极多晶硅以及薄栅氧层、氮化硅的刻蚀；

步骤九、栅极刻蚀，使得所述氧化层被去除；

步骤十、接触控制门的刻蚀，使得所述单元外围的STI区上的所有字线多晶硅被去除。

优选地，步骤一中所述字线多晶硅的厚度为2000埃。

优选地，步骤一在进行所述字线多晶硅沉积后，对所述字线多晶硅依次进行湿法研磨和离子注入。

优选地，步骤二中所述字线多晶硅上形成的氧化层是通过将所述字线多晶硅氧化后得到所述氧化层。

优选地，步骤二中形成的所述氧化层的厚度为700埃。