[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201911361094.4 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111129037B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 龙芬 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法，对于所述制作方法，首先形成源极和漏极，再以源极和漏极边缘作为掩膜对半导体层进行图案化处理以形成非晶硅岛，可使得非晶硅岛的边缘与源极的边缘及漏极的边缘切齐，完全去除了裸露在金属层外的半导体层，可有效降低TFT器件光电敏感性，缩小了非晶硅岛面积，进而缩小了TFT器件尺寸，有利于节省版图，同时可简化工序。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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