[发明专利]U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管

摘要

本发明提供一种U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管，属于半导体生产领域。包括：S1，采用GaN材料在衬底上纵向生长，得到初始U型GaN层；S2，在初始U型GaN层上由3D纵向生长向2D横向生长过渡，得到U型GaN过渡层；S3，在U型GaN过渡层上横向生长；S4，在S3得到的U型GaN层上继续横向生长，使生长得到的U型GaN层的表面平整。本发明通过在纵向生长与横向生长之间增加由3D纵向生长向2D横向生长过渡的阶段，使得由纵向生长到横向生长是慢慢过渡的，并通过调整生长过程中MOCVD设备的各项参数，提高了晶体质量、位错密度及内量子效率，使得生长得到的U型GaN层的表面缺陷大大减少，因而提高了产品良率。