[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201911356286.6 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112490241A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 河原慎二;户田顺之;山本武志;山浦和章 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供即使被施加应力也能够抑制电阻元件的电阻值的变动，并能够谋求面积的小型化的半导体装置。半导体装置具备：第1导电型的半导体层；第2导电型的第1半导体部分，设置于半导体层中；第1导电部件，上端到达半导体层的上表面，下端连接于第1半导体部分；第2导电部件，上端到达半导体层的上表面，下端连接于第1半导体部分；以及绝缘部件，至少一部分设置于第1导电部件与第2导电部件之间。第1导电部件的从上端到下端的长度，比在与半导体层的上表面平行的方向而且是从第1导电部件朝向第2导电部件的方向上的第1导电部件的长度、第1导电部件与第2导电部件之间的距离及第2导电部件的长度的合计长度长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
