[发明专利]一种组合图像传感器芯片的形成方法和芯片分离方法有效
申请号: | 201911348397.2 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN111146225B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 石虎 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/683 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 张立君 |
地址: | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种组合图像传感器芯片的形成方法和芯片分离方法,其中,组合图像传感器芯片的形成方法包括:提供承载基底;在承载基底上通过热解膜临时键合多个滤光片、在滤光片上形成围堰、在围堰上键合图像传感器芯片,围堰、滤光片、和图像传感器芯片围成空腔,图像传感器芯片所在的一面为第一表面滤光片所在的一面为第二表面;提供环形边框以及切割膜、粘合膜,切割膜和粘合膜粘合在一起,且周边粘贴于环形边框,粘合膜所能承受的温度大于热解膜失效的温度;将切割膜粘合在第一表面上;加热使热解膜失效,以去除承载基底;利用拾片设备,将滤光片和图像传感器芯片构成的整体从切割膜上取下。 | ||
搜索关键词: | 一种 组合 图像传感器 芯片 形成 方法 分离 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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