[发明专利]半导体工艺的控制方法及其系统在审
| 申请号： | 201911334736.1 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113097095A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 郭登冬;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该发明涉及半导体工艺领域，公开了一种半导体工艺的控制方法及其系统。该方法包括：在启动暖机操作中，通过获取氢氧根离子光强，来检测腔体内水汽的含量；当所述腔体内水汽的含量在稳定范围内时，执行复机操作。本发明通过刻蚀终点侦测器来获取腔体内游离的氢氧根的光强大小,在机台开腔保养后实时检测腔体水汽含量情况，可以及时判断腔体水汽状况,排除水汽对复机进度的影响,防止因水汽导致的复机失败,提高复机成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 控制 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
