[发明专利]3D NAND高长径比串和沟道在审
| 申请号： | 201911309429.8 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111354736A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | R·坎卡尔;常旭;B·哈巴 | 申请（专利权）人： | 艾克瑟尔西斯公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郭星 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明题为“3D NAND高长径比串和沟道”。本公开的方面涉及形成完整的层堆叠。形成完整的层堆叠可以包括在第一基板上形成第一层堆叠以及在第二基板上形成第二层堆叠。第一层堆叠可以结合到第二层堆叠。可以去除第一基板或第二基板。在结合第一层堆叠和第二层堆叠之前，可以在第一层堆叠中蚀刻一个或多个孔。在去除第二基板之后，可以在第二层堆叠中蚀刻一个或多个孔，其中第二层堆叠中的一个或多个孔中的每一个延伸到第一层堆叠中的一个或多个孔中的对应孔中。 | ||
| 搜索关键词： | nand 长径 沟道 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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