[发明专利]一种肖特基势垒晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201911302446.9 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111129126B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 毛淑娟;罗军;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/43;H01L29/47;H01L29/06;H01L29/80;H01L21/28;H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基势垒晶体管，包括：衬底；沟道区设置在衬底上方；源/漏区设置在衬底上方且同时设置在沟道区相对应的两侧；异质栅结构设置在沟道区远离衬底的一侧的上方，异质栅结构包括漏端栅和源端栅，漏端栅包括氧化层和多晶硅层；源端栅包括L型结构的栅介质层和金属栅层，栅介质层的一端面设置在沟道区上方，另一端面与漏端栅相邻接，金属栅层设置在栅介质层的L型结构内；侧墙包覆设置于异质栅结构的表面；杂质分凝区设置在源/漏区与沟道区界面处。同时还提供了一种肖特基势垒晶体管的制备方法。该方案集成异质栅、高迁移率沟道以及杂质分凝区有效提升器件开态电流，减弱器件的短沟道效应，增大器件的电流开关比，改善双极特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基势垒 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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