[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置在审
| 申请号： | 201911292029.0 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN111326456A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 吉田幸史;上田大 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法及装置，该基板处理方法包括：处理液供给工序，将具有溶质以及溶剂的处理液朝向基板的表面供给，处理膜形成工序，使供给至所述基板的表面的所述处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成保持存在于所述基板的表面的去除对象物的处理膜，剥离工序，通过向所述基板的表面供给剥离液形成液，使所述剥离液形成液与所述处理膜接触而形成剥离液，通过所述剥离液将保持所述去除对象物的状态的所述处理膜从所述基板的表面剥离，去除工序，通过在剥离所述处理膜后继续供给所述剥离液形成液，在所述处理膜保持所述去除对象物的状态下，对所述处理膜进行冲洗而将所述处理膜从所述基板的表面去除。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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