[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置在审

专利信息
申请号: 201911292029.0 申请日: 2019-12-16
公开(公告)号: CN111326456A 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 吉田幸史;上田大 申请(专利权)人: 株式会社斯库林集团
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/02
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 宋晓宝;向勇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 方法 以及 装置
【说明书】:

本发明提供一种基板处理方法及装置,该基板处理方法包括:处理液供给工序,将具有溶质以及溶剂的处理液朝向基板的表面供给,处理膜形成工序,使供给至所述基板的表面的所述处理液固化或硬化,在所述基板的表面形成保持存在于所述基板的表面的去除对象物的处理膜,剥离工序,通过向所述基板的表面供给剥离液形成液,使所述剥离液形成液与所述处理膜接触而形成剥离液,通过所述剥离液将保持所述去除对象物的状态的所述处理膜从所述基板的表面剥离,去除工序,通过在剥离所述处理膜后继续供给所述剥离液形成液,在所述处理膜保持所述去除对象物的状态下,对所述处理膜进行冲洗而将所述处理膜从所述基板的表面去除。

技术领域

本发明涉及处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。作为处理对象的基板包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence:电致发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display:场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板。

背景技术

在半导体装置的制造工序中,为了去除附着于基板的各种污染物、在前工序使用的处理液、抗蚀剂等残渣或各种颗粒等(以下,有时统称为“去除对象物”),实施清洗工序。

在清洗工序中,一般通过向基板供给去离子水(DIW:Deionized Water)等清洗液,利用清洗液的物理作用去除去除对象物,或者通过向基板供给与去除对象物进行化学反应的药液,化学去除该去除对象物。

但是,形成于基板上的凹凸图案的微细化以及复杂化正在发展。因此,一边抑制凹凸图案的损伤一边通过清洗液或药液去除去除对象物越来越不容易。

因此,提出了如下方法:向基板的上表面供给包括溶质以及具有挥发性的溶剂的处理液,在形成使该处理液固化或硬化后的处理膜之后,溶解该处理膜来去除(参照美国专利申请公开第2014/041685号说明书以及美国专利申请公开第2015/128994号说明书)。

在该方法中,在处理液固化或硬化而形成处理膜时,去除对象物被从基板分离。然后,分离的去除对象物保持于处理膜中。

接着,向基板的上表面供给溶解处理液。由此,处理膜在基板上被溶解而被去除,因此,去除对象物与处理膜的溶解物一起从基板的上表面被去除(参照美国专利申请公开第2014/041685号说明书)。

或者,有时也向基板的上表面供给剥离处理液。由此,处理膜从基板的上表面被剥离。接着,通过供给溶解处理液,处理膜在基板上被溶解(参照美国专利申请公开第2015/128994号说明书)。

在美国专利申请公开第2014/041685号说明书的方法和美国专利申请公开第2015/128994号说明书的方法中,处理膜均在基板上溶解。因此,在基板上去除对象物从处理膜脱落而该脱落的去除对象物可能再次附着于基板。因此,可能无法从基板上高效地去除去除对象物。由此,需求在使处理膜保持去除对象物的状态下将处理膜从基板去除的方法。

然而,能够在使处理膜保持去除对象物的状态下将处理膜从基板的表面剥离而去除的剥离液比较昂贵。在朝向基板的上表面供给剥离液的情况下,由于大量地消耗剥离液,因此,成本可能增大。

发明内容

因此,本发明的一个目的在于,提供一种既能够抑制成本的增大,又能够高效地去除存在于基板的表面的去除对象物的基板处理方法以及基板处理装置。

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