[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，

包括：

处理液供给工序，将具有溶质以及溶剂的处理液朝向基板的表面供给，

处理膜形成工序，使供给至所述基板的表面的所述处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成保持存在于所述基板的表面的去除对象物的处理膜，

剥离工序，通过向所述基板的表面供给剥离液形成液，使所述剥离液形成液与所述处理膜接触而形成剥离液，通过所述剥离液将保持所述去除对象物的状态的所述处理膜从所述基板的表面剥离，

去除工序，通过在剥离所述处理膜后继续供给所述剥离液形成液，在使所述处理膜保持所述去除对象物的状态下，冲走所述处理膜而将所述处理膜从所述基板的表面去除。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述溶质具有剥离液形成物质，

所述处理膜形成工序包括形成具有固体状态的所述剥离液形成物质的所述处理膜的工序，

所述剥离工序包括通过使所述处理膜中的固体状态的所述剥离液形成物质溶解于供给至所述基板的表面的所述剥离液形成液而形成所述剥离液的工序。

3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述剥离液为碱性液体。

4.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述剥离液形成液为纯水。

5.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述剥离工序包括：

通孔形成工序，通过向所述基板的表面供给所述剥离液形成液，所述处理膜被部分地溶解而在所述处理膜上形成通孔。

6.如权利要求5所述的基板处理方法，其中，

所述溶质具有高溶解性物质和相对于所述剥离液的溶解性比所述高溶解性物质低的低溶解性物质，

所述处理膜形成工序包括形成具有固体状态的所述高溶解性物质以及所述低溶解性物质的所述处理膜的工序，

所述通孔形成工序包括：通过使所述处理膜中的固体状态的所述高溶解性物质溶解于在所述基板上形成的所述剥离液而在所述处理膜上形成所述通孔的工序。

7.如权利要求6所述的基板处理方法，其中，

所述低溶解性物质相对于所述剥离液形成液的溶解性比所述高溶解性物质相对于所述剥离液形成液的溶解性低，

所述通孔形成工序包括：通过使所述处理膜中的固体状态的所述高溶解性物质溶解于供给至所述基板的表面的所述剥离液形成液而在所述处理膜上形成所述通孔的工序。

8.如权利要求5所述的基板处理方法，其中，

所述溶质具有高溶解性物质和相对于所述剥离液形成液的溶解性比所述高溶解性物质低的低溶解性物质，

所述处理膜形成工序包括形成具有固体状态的所述高溶解性物质以及所述低溶解性物质的所述处理膜的工序，

所述通孔形成工序包括：通过使所述处理膜中的固体状态的所述高溶解性物质溶解于供给至所述基板的表面的所述剥离液形成液而在所述处理膜上形成所述通孔的工序。

9.一种基板处理方法，

包括：

处理液供给工序，朝向基板的表面供给具有包含碱性成分的溶质以及溶剂的处理液，

处理膜形成工序，通过使供给至所述基板的表面的所述处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成保持存在于所述基板的表面的去除对象物且含有所述碱性成分的处理膜，

剥离工序，通过向所述基板的表面供给纯水而使所述纯水与所述处理膜接触，使所述处理膜中的所述碱性成分溶出到所述纯水而形成碱性水溶液，通过所述碱性水溶液使保持所述去除对象物的状态的所述处理膜从所述基板的表面剥离，

去除工序，通过在剥离所述处理膜后继续供给所述纯水，在使所述处理膜保持所述去除对象物的状态下，冲走所述处理膜而将所述处理膜从所述基板的表面去除。