[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201911282704.1 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326427B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 吴俊毅;余振华;陈建勋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 形成半导体结构的方法包括将电压调节器附接至第一封装件的第一再分布结构。在电压调节器上方形成第二再分布结构，该电压调节器嵌入在第二再分布结构中。第一衬底附接至第二再分布结构以形成包括第一封装件的第二封装件。可以将第一电压提供给第二再分布结构，并且通过第二再分布结构提供给电压调节器。电压调节器将第一电压调节为第二电压，并且通过第一再分布结构将第二电压提供给第一器件管芯，其中，电压调节器的输出端直接附接至第一再分布结构。本发明的实施例还涉及半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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