[发明专利]U形沟道半导体器件及其制造方法及包括其的电子设备在审
| 申请号： | 201911262334.5 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111106165A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种U形沟道半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底上竖直延伸且在平面图中呈U形的沟道部；分处于沟道部上下两端且沿着U形沟道部的源/漏部；以及在所述U形的内侧与沟道部交迭的栅堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 半导体器件 及其 制造 方法 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
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