[发明专利]具有掩埋栅极结构的半导体器件及其制造方法在审
申请号: | 201911255473.5 | 申请日: | 2019-12-10 |
公开(公告)号: | CN112103338A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 金东洙 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 王建国;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种用于改善栅极感应漏极泄漏的半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括:衬底;第一掺杂区和第二掺杂区,二者被形成为被衬底中的沟槽彼此间隔开;在沟槽之上的第一栅极电介质层;在第一栅极电介质层之上的下栅极;在下栅极之上且宽度小于下栅极的上栅极;以及位于上栅极与第一栅极电介质层之间的第二栅极电介质层。 | ||
搜索关键词: | 具有 掩埋 栅极 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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