[发明专利]一种制备半导体性碳纳米管准阵列薄膜的方法在审
| 申请号： | 201911243407.6 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110993793A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 曹宇;白兰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空间应用工程与技术中心 |
| 主分类号： | H01L51/30 | 分类号： | H01L51/30;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制备半导体性碳纳米管准阵列薄膜的方法，属于碳纳米管领域。本方法包括：取半导体性碳纳米管，溶解于易挥发有机溶剂中，得到半导体性碳纳米管溶液；取基底，经清洗、烘干后，垂直浸入去离子水中，且仅留出够夹持基底的部分于水面上，此时在基底、去离子水和空气交界处形成三相界面；向三相界面处持续供应半导体性碳纳米管溶液的液滴或喷雾，并将基底从去离子水中垂直拉出；清洗基底，并用高纯度气体吹干，得到半导体性碳纳米管准阵列薄膜。与现有碳纳米管网络薄膜相比，本发明制备的半导体性碳纳米管准阵列薄膜，呈局部方向性排布的碳管数量为40％‑90％，减少了碳管‑碳管结的数量，减小了碳纳米管薄膜电阻，提高了载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 半导体 纳米 阵列 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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