[发明专利]一种采用冷冻干燥和燃烧合成法快速制备的定向多孔氮化铝蜂窝陶瓷及其方法有效
| 申请号： | 201911243324.7 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111056846B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 史忠旗;魏智磊;袁媛;谢文琦;张哲健;夏鸿雁;王波 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/622;C04B35/65;C04B38/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种采用冷冻干燥和燃烧合成法快速制备的定向多孔氮化铝蜂窝陶瓷及其方法，采用叔丁醇为溶剂，柠檬酸为分散剂对氮化铝粉和烧结助剂进行冷冻干燥，并将干燥后的生坯放入放电等离子烧结炉中进行无压快速烧结后，可以得到气孔率和抗压强度较高的定向多孔氮化铝陶瓷。本发明制备定向多孔氮化铝陶瓷的方法具有工艺简单、周期短、重复性好、成本低等特点。制备出的定向多孔氮化铝陶瓷在金属过滤、催化剂载体、聚合物增强相、汽车工业、太阳能发电等领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 冷冻 干燥 燃烧 成法 快速 制备 定向 多孔 氮化 蜂窝 陶瓷 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911243324.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种高导热高强度的氮化铝基片的制备方法-202310556607.7
- 严回;吴新成;余正刚;彭奇阳;王雲;宋珂珂;孙建章 - 安徽蓝讯微晶科技有限责任公司
- 2023-05-17 - 2023-10-27 - C04B35/581
- 本发明公开一种高导热高强度的氮化铝基片的制备方法，涉及氮化铝基片制备技术领域，制备方法包括以下步骤：氮化铝粉预处理，氮化铝陶瓷浆料制备，进行真空脱泡处理，控制浆料的真空度为：0.02‑0.1，对浆料保温转料，并进行除铁，流延成型，生胚熟化，对流延制得的生胚进行敷粉，真空包装，并保温保湿处理，并进行低温排胶，在真空填充氮气的前提下，进行高温烧结，对氮化铝基片进行性能测试。本发明氮化铝基片的制备方法，预处理氮化铝粉料，去除氧化铝粉体内的杂质含量和氧元素含量，制备氮化铝浆料，并对其进行真空脱泡、流延成型，生胚裁片、熟化处理，低温排胶，高温致密化烧结，最后性能测试，得到高导热高强度氮化铝陶瓷基板，性能均匀。
- 一种高纯氮化铝粉体的制备方法-202310976695.6
- 冯正洋;蒋奕轩;陈劲;阳素琰;唐仙谊 - 湖南晶途新材料科技有限公司
- 2023-08-03 - 2023-10-27 - C04B35/581
- 本发明公开了一种高纯氮化铝粉体的制备方法，将氧化铝粉体、炭黑、金属氧化物、单体、交联剂、分散剂在水中进行混合，制成料浆，注入模具，经过固化、干燥、氮化和除碳制得高纯氮化铝粉体；具体制备方式如下：步骤一，配料：将氧化铝粉体、炭黑、金属氧化物、单体、交联剂、分散剂、水按照质量百分比配料：氧化铝30％‑45％，炭黑10％‑15％，金属氧化物2％‑8％，单体2％‑15％,交联剂0.1％‑0.5％，分散剂1％‑3％，水45％‑55％；步骤二，配制料浆：采用球磨将步骤一中的原料混合均匀，制成均一稳定的料浆。本发明制备的氮化铝粉体纯度高，粒径小、分布均匀，非常适合制备高导热氮化铝陶瓷基板。
- 一种陶瓷材料加工方法-202210375546.X
- 陈星建;陈煌琳 - 中微半导体设备（上海）股份有限公司
- 2022-04-11 - 2023-10-24 - C04B35/581
- 本发明公开了一种陶瓷材料加工方法，包括：浸渍：将陶瓷坯体浸渍于液态聚碳硅烷前体中，使液态聚碳硅烷前体填充所述陶瓷坯体的缺陷；交联固化：使液态聚碳硅烷前体在所述缺陷内部受热分解，发生氧化交联反应。本发明获得的陶瓷材料内部缺陷少、热导率高、介电损耗低。
- 氮化铝陶瓷流延浆料、氮化铝陶瓷基板及制备方法-202110920742.6
- 宿金栋;蒋韶华;范宇;余亮;郭槐;梁宝龙 - 臻金新材（深圳）有限公司
- 2021-08-11 - 2023-10-24 - C04B35/581
- 本发明公开的氮化铝陶瓷流延浆料，由以下质量份数的原料制成：100份的氮化铝粉体、3～10份的助烧剂、1～6份的分散剂、50～100份的有机溶剂、10～50份的粘结剂、1～15份的增塑剂和0.5～2份的脱泡剂。其中助烧剂由组分A和组分B组成，组分A为三氧化二钇、氧化钙中的至少一种，组分B为五氧化二铌、氧化铈、氧化钐中的至少一种。从而氮化铝陶瓷基板的烧结温度不超过1800℃，烧结升温速率高于5℃/min，烧结保温时间可低于3小时，提高了制备工艺的效率，而陶瓷性能不会下降。
- 一种微波低温预处理制备高强度低晶格氧缺陷氮化铝陶瓷的方法-202310784125.7
- 秦明礼;张智睿;吴昊阳;李涛;高际航;贾宝瑞;曲选辉 - 北京科技大学
- 2023-06-29 - 2023-10-20 - C04B35/581
- 本发明公开了一种微波低温预处理制备高强度低晶格氧缺陷氮化铝陶瓷的方法，属于陶瓷材料制备技术领域。所述方法以Y‑Ca‑Dy复合烧结助剂作为脱氧动力源，采用微波烧结对氮化铝生坯内晶粒进行降氧处理，微波频率为2.45GHz，烧结温度为1500～1630℃，烧结时间为5～10h，以获得低氧杂质(晶格氧低于0.06wt.％)并有一定相对密度的预烧结坯体。在随后的烧结过程中使坯体完全致密化。此方法获得的氮化铝陶瓷热导率210～230W/m·k，晶粒尺寸可控(2～5μm)，抗弯强度高于400MPa。
- 氮化铝多层用高温阻焊浆料及其制备方法-202210841551.5
- 赵敏敏;杨军;张虎 - 合肥圣达电子科技实业有限公司
- 2022-07-18 - 2023-10-20 - C04B35/581
- 本发明公开了一种氮化铝多层用高温阻焊浆料及其制备方法，该氮化铝多层用高温阻焊浆料由无机粉体和有机载体组成，所述无机粉体由主体阻焊材料和烧结助剂组成；其中，所述主体阻焊材料由氮化铝和氧化钇组成，所述烧结助剂为元素M的化合物中的至少一种，所述元素M为钙、镁、硅、铒中的至少一种；所述有机载体由有机溶剂、高分子树脂粘结剂和分散剂组成。该氮化铝多层用高温阻焊浆料能够满足氮化铝多层基板制备过程中的印刷质量，且能够与生瓷在1700‑1800℃高温下进行烧结，且收缩匹配性一致，烧结后结合力强、耐腐蚀性强，从而实现优异的阻焊效果。
- 一种高硬度纳米氮化铝陶瓷及其制备方法-202310859741.4
- 李淑星;解荣军;谢安;张旻澍;钟旭航 - 厦门大学
- 2023-07-13 - 2023-10-17 - C04B35/581
- 本发明属于纳米陶瓷技术领域，尤其涉及一种高硬度纳米氮化铝陶瓷及其制备方法，所述方法包括：以纳米氮化铝粉末为原料，采用焦耳热或放电等离子体烧结制备得到高硬度纳米氮化铝陶瓷。采用焦耳热烧结时，将所述纳米氮化铝粉末倒入模具中干压成型，或加烧结助剂后湿磨干燥后干压成型，再通过冷等静压处理，得到陶瓷片生坯；对所述陶瓷片生坯进行焦耳热烧结，烧结温度为1700‑1900℃，烧结时间为0‑60s，得到所述高硬度纳米氮化铝陶瓷。本发明中，短时间的陶瓷烧结和较快的升降温速率，以及放电等离子体烧结的加压作用，有效减缓了陶瓷烧结过程中的晶粒生长，使所得陶瓷具有纳米尺度的晶粒大小和纳米陶瓷高硬度的性能特点。
- 碳热还原法制备氮化铝粉体的方法-202310758799.X
- 黄文思;林坤岩;施纯锡;冯家伟 - 福建华清电子材料科技有限公司
- 2023-06-26 - 2023-10-10 - C04B35/581
- 本发明涉及一种碳热还原法制备氮化铝粉体的方法，包括如下步骤：制备原料球，将氧化铝与炭黑配比混合，装入球磨机中混合磨料，过筛后造粒得到原料球备用；将上述制备好的原料球投入加热炉，所述加热炉内转动安装有载料容器，加热炉上连通的氮气管道，所述原料球投放在载料容器内；将氮气通过氮气管道通入加热炉，启动加热炉对炉内物体进行加热，加热温度在1600℃‑1800℃，加热时间为3h；将反应后的产物收集至除碳装置，并向除碳装置内通入空气，除碳装置内温度600℃‑650℃；对除碳装置内反应后的产物进行收集，即得到成品氮化铝粉体。本发明的碳热还原法制备氮化铝粉体的方法能够促进原料充分反应，制得的成品纯度高。
- 一种低温快速制备高导热复杂形状氮化铝陶瓷的方法-202310784245.7
- 秦明礼;张智睿;吴昊阳;李涛;张泽鹏;高际航;贾宝瑞;曲选辉 - 北京科技大学
- 2023-06-29 - 2023-10-10 - C04B35/581
- 本发明提供了一种低温快速制备高导热复杂形状氮化铝陶瓷的方法，属于陶瓷材料制备技术领域。所述方法利用Y‑Ca‑Si三元助剂与微波烧结工艺，能够将使烧结温度降低至1600℃以下。混合浆料采用多粒度粉末复配的方式，以大颗粒氮化铝粉末为烧结与导热的骨架材料，利用纳米颗粒提供的高活性促进烧结，煅烧后的坯体具有90％的相对密度，有利于进一步缩短烧结时间。利用硅橡胶固化前的可流动的特点，具有填充复杂形状模具的特点，做到成形的任意性。此方法获得的氮化铝陶瓷兼具了低能耗、快速制备、复杂形状成形性与高导热(150～175W/m·k)的特点。
- 复合陶瓷基板、覆铜陶瓷基板及制备方法和应用-202311093069.9
- 周洋;袁雄 - 合肥阿基米德电子科技有限公司
- 2023-08-29 - 2023-10-03 - C04B35/581
- 本发明提供了一种复合陶瓷基板、覆铜陶瓷基板及制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。本发明提供的复合陶瓷基板包括氮化铝基体以及分布在所述氮化铝基体中的氮化硅网状支架；所述氮化硅网状支架由多个氮化硅片形成，单个所述氮化硅片的厚度为0.2~1mm。本发明提供的复合陶瓷基板兼具氮化铝的高导热性和氮化硅的高抗弯强度，在较薄厚度条件下即可满足使用要求，且整体成本较低。
- 一种低温快速无压烧结制备AlON透明陶瓷的方法-202310705267.X
- 单英春;郗雪敏;徐久军;马莉娅;韩晓光 - 大连海事大学
- 2023-06-14 - 2023-09-22 - C04B35/581
- 本发明涉及一种低温快速无压烧结制备AlON透明陶瓷的方法，属于透明陶瓷材料制备领域。一种低温快速无压烧结制备AlON透明陶瓷的方法，其特征在于：在AlON粉体中仅添加掺量为0.15‑0.40wt.％的La
- AlON粉体的抗水化方法-202310740573.7
- 王军;李屹立;原保平;苏学剑;匡波 - 成都光明光电有限责任公司
- 2023-06-21 - 2023-09-19 - C04B35/581
- 本发明公开了AlON粉体的抗水化方法，包括以下步骤：将Al
- 一种半导体用AlN组成成分及其制造方法-202310735097.X
- 金时渊 - 苏州艾成科技技术有限公司
- 2023-06-20 - 2023-09-19 - C04B35/581
- 本发明公开了一种半导体用AlN组成成分及其制造方法，包括CAS玻璃、Y
- 一种AlON粉体及其直接氮化法高气压合成方法和应用-202011248445.3
- 周有福;杨健;许文涛;洪茂椿 - 中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室
- 2020-11-10 - 2023-09-08 - C04B35/581
- 本发明公开一种AlON粉体及其直接氮化法高气压合成方法和应用，属于陶瓷粉体制备领域。所述方法以铝粉和氧化铝粉为原料，通过直接氮化法高气压合成纯相的AlON粉体，粉体颗粒形貌近似于球形，粒径范围在5μm‑15μm之间，分散性好，均匀性好，具有较高的烧结活性，以其为原料制备的AlON透明陶瓷(1.2mm厚)直线透过率大于84％，批次产量为公斤级，适合规模化生产AlON粉体。
- 一种改性氮化铝及其应用、氮化铝改性方法-202210959840.5
- 许杰;郭佳;杨润伍;林朗;王恒昌;高峰 - 西北工业大学
- 2022-08-11 - 2023-09-01 - C04B35/581
- 本发明属于氮化铝材料技术领域，具体涉及一种改性氮化铝及其应用、氮化铝改性方法。本发明提供了一种氮化铝改性方法，包括以下步骤：将磷酸二氢铝、硼酸和羧酸溶解于有机溶剂，得到改性溶液；将所述改性溶液和氮化铝混合进行表面改性，得到改性氮化铝。本发明在磷酸二氢铝、硼酸和羧酸共同作用下与氮化铝及其表面的羟基等含氧官能团反应形成致密的保护层避免氮化铝直接与水接触；同时在磷酸二氢铝、硼酸和羧酸共同作用下形成的保护层与氮化铝具有较强的结合力能够在85℃的高温条件下长期存在，不发生脱落提高了改性氮化铝的高温耐水解性。
- 一种低氧含量氮化铝微粉及其制备方法、应用和合成炉-202210761247.X
- 袁振侠;李大海;成罗;宋嘉骏 - 宁夏北瓷新材料科技有限公司
- 2022-06-29 - 2023-09-01 - C04B35/581
- 本申请涉及一种低氧含量氮化铝微粉及其制备方法、应用和合成炉，包括如下步骤：称取纳米级碳源30份至60份、氧化铝粉末100份、水50份至100份、分散剂1份至5份，加入混料设备制备混合物浆料；造粒得到氮化铝前驱体颗粒；将氮化铝前驱体颗粒加入烘干装置进行烘干处理，得到半成品A；将半成品A装入反应舟中，并将反应舟置于合成炉中，半成品A在氮气环境下进行高温碳热还原反应制成半成品B；将半成品B脱碳处理制成氮化铝微粉。上述方案通过改变制备工艺，保证所制备的氮化铝微粉在粒度小的情况下，氧含量也较低，故通过该氮化铝微粉烧结的氮化铝陶瓷的热导率及致密化均比较高，满足市场对高性能氮化铝陶瓷的需求。
- 一种打印机加热条用氮化铝陶瓷的制备方法-202211522921.5
- 杨大胜;施纯锡;冯家伟 - 福建华清电子材料科技有限公司
- 2022-11-30 - 2023-08-22 - C04B35/581
- 本发明涉及打印机配件技术领域，提供一种打印机加热条用氮化铝陶瓷的制备方法，解决现有打印机加热条用陶瓷材料热导率低，影响定影组件散热速度的问题，包括以下步骤：(1)制备改性氮化铝粉体；(2)制备烧结助剂：以合成的三元碳化物和氧化镧的混合物作为烧结助剂；(3)制备陶瓷浆料；(4)流延成型；(5)等静压成型；(6)加热脱脂；(7)烧结。制备得到的氮化铝陶瓷综合性能优异，不仅热导率高，而且兼具优异的抗弯强度和断裂韧性。
- 一种氮化铝陶瓷及其制备方法-202310667892.X
- 刘秋生;肖亮;叶许;李微;程文琴;刘彬;黄知未 - 湖南湘瓷科艺有限公司
- 2023-06-07 - 2023-08-08 - C04B35/581
- 本发明公开了一种氮化铝陶瓷及其制备方法，涉及陶瓷制备技术领域。本发明氮化铝陶瓷的制备方法，包括如下步骤：S1：氮化铝粉末、改性剂和无水乙醇球磨、无水乙醇洗涤、干燥，得到改性AIN；S2：将交联剂组分、去离子水混合，继续加入分散剂和改性氮化铝粉末、四甲基氢氧化铵，球磨、调节浆料pH值，得到浆料；S3：将浆料、引发剂混合后真空脱泡、浇注、固化成型、脱模、干燥、排胶、烧结，得到氮化铝陶瓷。本申请制备的改性氮化铝抗水解性能优良，利用该改性氮化铝粉末制备的氮化铝陶瓷具有优良的力学性能。
- 一种高强度氮化铝陶瓷基板配方及生产设备-202310523847.7
- 林德陇 - 浙江正天新材料科技有限公司
- 2023-05-08 - 2023-08-01 - C04B35/581
- 本发明公开了一种高强度氮化铝陶瓷基板生产设备，具体涉及陶瓷基板技术领域，包括载带输送部；支架；旋转仓；安装管；溢流仓；支撑柱；透气槽；压板；真空腔；储料腔；用于在旋转仓旋转时，驱动压板朝下移动的离心驱动部。旋转仓在进行旋转时，压板朝下移动并挤压储料腔内的氮化铝陶瓷基板的浆料，同时浆料受到离心力的作用，使得浆料将朝旋转仓的径向外侧流动，流动过程中，浆料中的气泡将被挤压驱赶至支撑柱的附近，并从支撑柱上的透气槽进入真空腔内，由于压板持续下移的，所以能够持续地将浆料中的气泡挤压至真空腔内，此外浆料持续受到压板的挤压，所以浆料从溢流仓内溢流出来的速率不会受到浆料自重的影响，进而提升了流延成型的效率。
- 一种高强度氮化铝陶瓷的制备方法-202211273763.4
- 杨大胜;施纯锡 - 福建华清电子材料科技有限公司
- 2022-10-18 - 2023-07-28 - C04B35/581
- 本发明涉及陶瓷材料技术领域，提供一种高强度氮化铝陶瓷的制备方法，解决现有制备工艺生产的氮化铝陶瓷抗弯强度不高，难以满足高端领域需求的问题，包括以下步骤：(1)表面改性；(2)球磨，球磨过程中添加的烧结助剂为TiN‑HfO
- 一种氮化铝陶瓷材料的低温烧结工艺-202310414884.4
- 曹树龙;黄炳峰;张霞 - 合肥陶陶新材料科技有限公司
- 2023-04-18 - 2023-07-14 - C04B35/581
- 本发明公开了一种氮化铝陶瓷材料的低温烧结工艺，属于陶瓷材料技术领域，包括以下步骤：步骤S1、将氮化铝粉体、纳米金刚石和烧结助剂进行混料，得到混合粉料；步骤S2、按照质量比1:1:5‑6将混合粉料、无水乙醇和球磨介质加入球磨机中，球磨分散均匀后，烘干、研磨并过筛，得到烧结粉料；步骤S3、将烧结粉料加入热压金属模具中压实，得到胚体；步骤S4、将坯体转入石墨模具中，在温度为1600‑1650℃、压力为25‑30MPa和氮气保护条件下，进行低温热压烧结2‑3h，得到氮化铝陶瓷材料；本发明将纳米金刚石与多元烧结助剂配合使用，能够降低烧结温度，得到致密度高、热导率高、断裂韧性强的氮化铝陶瓷材料。
- 一种氮化铝基板及其制备方法与应用-202310447182.6
- 邱基华;陈烁烁 - 广东省先进陶瓷材料科技有限公司
- 2023-04-24 - 2023-07-14 - C04B35/581
- 本发明属于氮化物陶瓷制备技术领域，具体公开一种氮化铝基板及其制备方法与应用。本发明通过在氮化铝生坯表面涂覆或喷涂隔粘粉的方式，在基础隔粘的前提下，能够在氮化铝生坯片排胶或低温烧结过程中制造还原性环境，降低氮化铝基板中的氧杂质及第二相的含量，提高其导热率及强度。本发明的氮化铝基板的热导率在205W/(m·k)以上，强度在400MPa以上。
- 一种基板、制备方法及应用-202111678975.6
- 何锦华;王兢;吴超;梁超;符义兵 - 江苏博睿光电股份有限公司;江苏诚睿达光电有限公司
- 2021-12-31 - 2023-07-11 - C04B35/581
- 本发明提供一种基板、制备方法及应用，属于封装基板技术领域。其中，本发明基板的制备方法包括：制备AlN蜂窝，基于所述AlN蜂窝，形成AlN蜂窝‑AlN粉体陶瓷素坯，对所述陶瓷素坯进行烧结处理以得到氮化铝陶瓷基板。本发明通过AlN粉体与AlN蜂窝复合，蜂窝的特殊结构可以使得陶瓷粉体在烧结过程中形成约束，以使AlN粉体在烧结过程中保持压应力的状态，促进陶瓷颗粒的致密化速度，提高陶瓷材料的致密化程度。以及，由于AlN蜂窝和AlN粉体为同一材质，保证了蜂窝结构和陶瓷基体粉体之间的界面结合优异，具有同样的固体传质和扩散机制，不会影响陶瓷的界面强度，同时利用蜂窝结构的增强效果提高陶瓷材料的结构强度，且具有较高的热导率。
- 一种基板、制备方法及应用-202111678980.7
- 何锦华;王兢;吴超;梁超;符义兵 - 江苏博睿光电股份有限公司;江苏诚睿达光电有限公司
- 2021-12-31 - 2023-07-11 - C04B35/581
- 本发明提供一种基板、制备方法及应用，属于封装基板技术领域。其中，本发明中基板的制备方法具体步骤包括：形成AIN‑Al
- 一种低温烧结制备高强度氮化铝陶瓷的方法-202310448640.8
- 伍尚华;齐于杰;林坤吉;张文铎 - 广东工业大学
- 2023-04-24 - 2023-07-07 - C04B35/581
- 本发明公开了一种低温烧结制备高强度氮化铝陶瓷的方法，涉及氮化铝陶瓷制备技术领域。本发明提供的低温烧结法制备得到的氮化铝陶瓷，具体是通过对原始粉体进行粒径分级，获得粒径范围在0.1～1.2μm、平均粒径尺寸小于0.5μm的氮化铝粉体，结合包覆法将烧结助剂与陶瓷粉体进行包覆改性，有助于制备致密度高、晶粒细小、微观结构更加均匀的氮化铝陶瓷，有助于提高其力学性能和抗热震性能；另外，本发明在烧结完成后用较低温度进行热等静压处理，可在达到高致密化的前提下，有效控制陶瓷烧结体的晶粒生长，进一步提高其强度和硬度。本发明可以实现在低温烧结下制备高强度氮化铝陶瓷，降低了氮化铝陶瓷的制备成本，具有较高商业价值及现实意义。
- 一种氮化铝粉体的制备方法-202310590076.3
- 王海龙;原楠楠;宋博;陈勇强;范冰冰;张凯;邵刚;卢红霞;许红亮 - 郑州大学
- 2023-05-24 - 2023-07-07 - C04B35/581
- 本发明提供了一种氮化铝粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。本发明首先将铝源、碳源、金属氯化物和水混合，得到混合溶液；再将混合溶液加热后添加氨水，得到乳白色溶胶；最后将乳白色溶胶顺次进行冷冻干燥、煅烧处理、除碳处理，即可得到氮化铝粉体。本发明将溶胶凝胶法和碳热还原法结合在一起，采用无机盐辅助的方式，降低了反应温度，以较低的成本即可制得的氮化铝粉体，并且所制备的氮化铝粉体具有较高的纯度和较好的球形度与粒度，其粒径范围为100～500nm。
- 一种抗拉伸氮化铝生瓷基片的制备方法-202111540168.8
- 韩金鑫;张斌;艾树鹤;赵园园;张爱华 - 河北中瓷电子科技股份有限公司
- 2021-12-16 - 2023-06-30 - C04B35/581
- 本发明涉及电子封装陶瓷技术领域，具体公开一种抗拉伸氮化铝生瓷基片的制备方法。本发明提供的抗拉伸氮化铝生瓷基片的制备方法，通过特定的物料加入顺序和分阶段球磨的方法，提高了流延浆料的分散性和稳定性，降低了粉体中粗大粒径颗粒的分布，浆料成分的均匀性得到显著提升，进一步结合流延工序特定的干燥温度排布方式，有效抑制了生瓷基片表面缺陷的产生，有利于获得抗拉伸性能好且均一性高的氮化铝生瓷基片，同时，还提高了流延带料的干燥效率，且制备过程操作简单，易于控制，具有较高的推广应用价值。
- 一种高性能氮化铝陶瓷材料及其制备方法-202211631046.4
- 肖宗益;伍国强 - 湖南聚能陶瓷材料有限公司
- 2022-12-19 - 2023-06-27 - C04B35/581
- 本发明涉及陶瓷材料领域，具体为一种高性能氮化铝陶瓷材料及其制备方法，由以下重量份原料制备而成：氮化铝纳米粉80‑100份、烧结助剂6‑12份、增塑剂1‑2份、粘结剂5‑10份、分散剂0.5‑1份，本发明所制备的氮化铝陶瓷材料具有极佳的力学性能和导热性能，综合性能优良，应用前景广泛。
- 一种大尺寸陶瓷基板的高效制备方法-202310390628.6
- 汪彩芬;朱宇璇;张鹏程;岳映雷;苏尧;漆秦;董鲜峰;张向东;李先容;白彬 - 中国工程物理研究院材料研究所
- 2023-04-13 - 2023-06-23 - C04B35/581
- 本发明涉及一种大尺寸陶瓷基板的高效制备方法，包括：将预设平均粒径的陶瓷粉料、预设平均粒径的烧结助剂和高分子成型剂混合为混合原料并制成预设平均粒径的颗粒，将制成的颗粒均匀铺设在预设条件的金属模具中，压制为坯体后直接进行烧结。本发明制备工序少、效率高、产品性能好，坯体尺寸最大边长可达250mm，厚度最薄可达0.3mm，烧结后陶瓷基板尺寸最大边长可达200mm，厚度最薄可达0.25mm。
- 一种氮化铝陶瓷造粒粉及其制备方法-202310252224.0
- 李丽霞;孙伟 - 无锡海古德新技术有限公司
- 2023-03-16 - 2023-06-13 - C04B35/581
- 本发明公开了一种氮化铝陶瓷造粒粉及其制备方法。其重量百分比组分为3～5wt％的Y
- 专利分类
